济南回收三端稳压器 济南回收内存芯片 济南回收集成电路
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电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。在一段温度值域内,电导率可以被近似为与温度成正比。为了要比较物质在不同温度状况的电导率,必须设定一个共同的参考温度。电导率与温度的相关性,时常可以表达为,电导率对上温度线图的斜率。
真空中点电荷场强公式:E=KQ/r2 (k为静电力常量k=9.0×10^9N.m^2/C^2)
匀强电场场强公式:E=U/d(d为沿场强方向两点间距离)
任何电场中都适用的定义式:E=F/q
平行板电容器间的场强E=U/d=4πkQ/eS
介质中点电荷的场强:E=kQ/(r2)
均匀带电球壳的电场:E内=0,E外=k×Q/r2
无限长直线的电场强度:E=2kρ/r(ρ为电荷线密度,r为与直线距离)
带电半圆对圆心的电场强度:E=2kρ/R(ρ为电荷线密度,R为半圆半径)
与半径为R圆环所在的平面垂直,且通过轴心的中央轴线上的场强:kQh/(h2+R2)3/2
对任意带电曲线的场强公式:E=∫kρ/r2 ds....(r为距曲线距离,为坐标x,y的函数,ρ为电荷线密度)
同理,带电曲面为它的曲面积分
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