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绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。科启达电子公司回收模块中心回收字库公司字库收购中心收购模块价格成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用Zui广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的Zui大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

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