金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方,依照其工作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(SiO2),不过有些新的工艺已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做为氧化层之用。
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