黑龙江贴片IC芯片回收 湿敏传感器 处理器芯片回收

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然而，以上三个性能指标是互相制约的。换句话说，当你有较快的存取时间，你就必须牺牲CAS latency的性能。因此，评估和比较SDRAM的性能时，我们必须综合考虑以上三个指标不能仅从芯片上所刻的-6，-7，-8或-10来评价。

时钟周期编辑

也就是一旦芯片厂商称其产品为PC-100。其芯片符合PC-100的标准。那么-6，-7，-10就只是一个符号。并不说明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）为了防止人们的误解，不再用这个数据代表存取时间，而用字母表示存取时间。

举例编辑

下面是一个评估SDRAM性能的简单例子。

对于100MHz的系统来说，一个系统时钟周期为10ns。

粗略的计算一下：读取数据的总延迟时间=CAS Latency 延迟 + 存取时间。

例如：Hyundai PC-100 SDRAM，存取时间为8ns，CL2模式。因此，总的延迟时间为 =2 x 周期 + 存取时间 =2 x 10 ns + 8 ns = 28 ns

如果SDRAM运行在CL3模式下，存取时间为6ns。这样，总的时间延迟为 =3 x 10 ns + 6 ns = 36 ns

显然，当SDRAM运行在CL2模式下，其速度完全快于CL3模式。

MBRS340T3G

CL31A107MQHNNNE   

LM1117RS-2.5

SMMSD301T1G

UTC78M06

RK73H1ETTP1241F，KOA

IN8208A-K2

贴片瞬态抑制二极管_UET14A05L03

LM2596R-3.3

DB3

CM510-NO02

BAT54WT-7

CR-03FL7--499K

WR08X1432FTL

GRM188R70J105KA01D

LTST-G563EGBW-HM2

GRM219R61E106KA12D

NCP1252ADR2G

MMSZ5245B

S5L63

SBAV70LT3G

GRM0335C1H101J

CD4053BE

RTL8821.RTL8822.RT3070 RT3572.RT5370L.RT5372L.RTL5572.PCF7952.

RM06FTN51R1

293D686X0025E2TE3

BD9G341AEFJ-E2

MX60LF8G18AC-TI

1X2(公)

WW12XR500FTL

RC0402FR-07280RL

CC0805ZRY5V8BB474

ANG2004H

RTT033650FTP

RFBLN1608070A4T

APL354030QBI-TRG

PIC16F73-1/SP4AP

NCP1230D65R2G

SI4416DY-T1-E3，SILICONIX

TOP250YN

QM45858TR13-5K

GJM1555C1H1R2WB01D

C1005NP0100JFT

WR06X6201FTL

TJG-533I-Q-T/R

DS4404N+T&R

LM2576HVR-12

DS1620

NESW157T-A2

SMCJ48A-7P

DS1225Y-100